noty aplikacyjne:
AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności
Październik 2010 AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności
AN-2 1200 Diody V SiC JBS z ultra niskim pojemnościowym ładowaniem zwrotnym do szybkiego przełączania aplikacji
Październik 2010 AN-2 1200 Diody V SiC JBS z ultra niskim pojemnościowym ładowaniem zwrotnym do szybkiego przełączania aplikacji
Niezawodność diody mocy AN1001 SiC
wrzesień, 2018Niezawodność diody mocy AN1001 SiC
AN1002 Zrozumienie danych technicznych diody Schottky'ego SiC Power
wrzesień, 2018AN1002 Zrozumienie danych technicznych diody Schottky'ego SiC Power
Instrukcja użytkowania modelu AN1003 SPICE
grudzień, 2018Instrukcja użytkowania modelu AN1003 SPICE
Artykuły techniczne:
Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Dec, 2005 Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Czerwiec, 2007 Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Szybkie wykrywanie neutronów za pomocą półizolacyjnych detektorów z węglika krzemu
Czerwiec, 2008 Szybkie wykrywanie neutronów za pomocą półizolacyjnych detektorów z węglika krzemu
Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Październik, 2008 Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
wrzesień, 2010 Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
