noty aplikacyjne:
Przepraszam, nie znaleziono żadnych postów.
Artykuły techniczne:
Tranzystory złączowe SiC „Super” z ultraszybkimi tranzystorami (< 15 ns) Możliwość przełączania
Może, 2012 Tranzystory złączowe SiC „Super” z ultraszybkimi tranzystorami (< 15 ns) Możliwość przełączania
Charakterystyka stabilności wzmocnienia prądowego i pracy w trybie lawinowym 4H-SiC BJT
Październik, 2012 Charakterystyka stabilności wzmocnienia prądowego i pracy w trybie lawinowym 4H-SiC BJT
10 Wyłączniki BJT SiC kV - statyczne, charakterystyka przełączania i niezawodności
Może, 2013 10 Wyłączniki BJT SiC kV - statyczne, charakterystyka przełączania i niezawodności
Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa
Październik, 2013 Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa
Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
kwiecień, 2014 Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C