1200 Klasa V 4H-SiC “Super” Tranzystory złączowe z bieżącymi zyskami 88 i ultraszybkie przełączanie
wrzesień, 20111200 Klasa V 4H-SiC “Super” Tranzystory złączowe z bieżącymi zyskami 88 i ultraszybkie przełączanie
1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Listopad, 2011 1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Wykorzystywanie obietnicy wysokiej temperatury SiC
luty, 2012 Wykorzystywanie obietnicy wysokiej temperatury SiC
Węglik krzemu “Super” Tranzystory złączowe działające w temperaturze 500°C
kwiecień, 2012 Węglik krzemu “Super” Tranzystory złączowe działające w temperaturze 500°C
Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach
Może, 2012 Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach