How2Power
Listopad 14, 2014 – 1200-Tranzystory złączowe SiC V i 1700-V są ustawione tak, aby rzucić wyzwanie tranzystorom MOSFET SiC i krzemowym IGBT
Elektroniczny specyfikator
Listopad 25, 2014 – Wsparcie projektowe ze specyfikatorem elektronicznym oferowane dla przełączników o najniższych stratach w branży
Magazyn IEEE PELS
Zniszczyć 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
Związek Semi Online
Może 14, 2015 – GeneSiC wprowadza do oferty diody tranzystorowe ze złączem SiC
TTI Market Eye
kwiecień 22, 2015 – Prezentacje urządzeń zasilających GaN i SiC na targach APEC
