Driving SiC Switches – from Compound Semiconductor Magazine (Pg 41)
lipiec 29, 2013 – SJTs offer IGBT-driver compatible operation
Aktualności Power Electronics Europe
Sep 5, 2013 – Wspomniano, że SJT firmy GeneSiC oferują niższe ogólne straty niż inne przełączniki SiC
Półprzewodnik dzisiaj
Październik 28, 2014 – Ulepszono premiery GeneSiC, tranzystory złączowe SiC o niższej rezystancji włączenia 1700 V i 1200 V
Półprzewodnik złożony
Październik 28, 2014 – Przełączniki SiC zapewniają niskie straty przewodzenia i doskonałą zdolność zwarcia
Magazyn IEEE PELS
Zniszczyć 1, 2015 – Spełnienie obietnicy pracy w wysokich temperaturach dzięki urządzeniom z węglika krzemu