Wiodące w branży tranzystory MOSFET 6,5 kV SiC firmy GeneSiC – awangarda nowej fali zastosowań
ĆWICZENIA, VA, Październik 20, 2020 — GeneSiC wypuszcza na rynek tranzystory MOSFET z węglika krzemu 6,5 kV, które są liderem w zapewnianiu niespotykanych dotąd poziomów wydajności, sprawność i niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia…
GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla monolitycznego tranzystora-prostownika na bazie SiC
ĆWICZENIA, VA, grudzień 5, 2019 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2019 r&re 100 Nagroda za opracowanie materiałów na bazie SiC…
Systemy zasilania Bodo (Pg 46)
Może, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack do zastosowań energoelektronicznych
Power Electronics Technology (Pg 36)
lipiec, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack Cuts Switching Losses
Systemy zasilania Bodo (Pg 36)
Październik, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors