DMOSFET mocy 10 kV 4H-SiC o dużej powierzchni ze stabilnym zachowaniem podprogowym niezależnie od temperatury
Sie, 2008DMOSFET mocy 10 kV 4H-SiC o dużej powierzchni ze stabilnym zachowaniem podprogowym niezależnie od temperatury
Wysoki prąd 650V, 1200Diody V i 1700V SiC Schottky MPS ™ w pakiecie mini-moduł SOT-227
ĆWICZENIA, VA, Może 11, 2019 — GeneSiC staje się liderem na rynku urządzeń wysokoprądowych (100 A i 200 ZA) Diody Schottky'ego SiC w mini module SOT-227 GeneSiC wprowadził GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC wypuszcza na rynek najlepiej działający w branży MPS 1700V SiC Schottky™ diody
ĆWICZENIA, VA, styczeń 7, 2019 — GeneSiC wypuszcza kompleksową ofertę diod 1700V SiC Schottky MPS ™ trzeciej generacji w pakiecie TO-247-2 GeneSiC wprowadził GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 i…
Wywiad z GeneSiC na PCIM 2016 w Norymberdze, Niemcy
Power System Design Interviews GeneSiC Nuremberg, Niemcy maj 12, 2016 — Prezes GeneSiC Semiconductor udzielił wywiadu Alix Paultre z Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) na wystawie PCIM w Norymberdze,…
Tranzystory-diody wykonane w całości z węglika krzemu oferowane w 4 Ołów mini-moduł
Spakowana kombinacja tranzystor-dioda SiC w solidnej, odosobniony, 4-Ołów, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, Może 13, 2015…
