15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy
Zniszczyć, 2013 15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy
AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności
Październik 2010 AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności
AN-2 1200 Diody V SiC JBS z ultra niskim pojemnościowym ładowaniem zwrotnym do szybkiego przełączania aplikacji
Październik 2010 AN-2 1200 Diody V SiC JBS z ultra niskim pojemnościowym ładowaniem zwrotnym do szybkiego przełączania aplikacji
Niezawodność diody mocy AN1001 SiC
wrzesień, 2018Niezawodność diody mocy AN1001 SiC
AN1002 Zrozumienie danych technicznych diody Schottky'ego SiC Power
wrzesień, 2018AN1002 Zrozumienie danych technicznych diody Schottky'ego SiC Power