Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
kwiecień, 2014 Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
Czerwiec, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT) z gotowymi do użycia krzemowymi sterownikami bramek IGBT: Koncepcja napędu jednopoziomowego
Może 2013 AN-10A Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT) z gotowymi do użycia krzemowymi sterownikami bramek IGBT: Koncepcja napędu jednopoziomowego
AN-10B Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT): Koncepcja napędu dwupoziomowego
Czerwiec 2013 AN-10B Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT): Koncepcja napędu dwupoziomowego
Tablica rozdzielcza z podwójnym impulsem
Sep 2014 Tablica rozdzielcza z podwójnym impulsem