1200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering
Stabilitet i elektriske egenskaper ved SiC "Super" Junction Transistors under langvarig DC og pulserende drift ved forskjellige temperaturer
Rask modning av SiC Junction-transistorer med nåværende gevinst (b) > 130, Blokkering av spenninger opp til 2700 V og stabil langvarig drift
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers