postet på 2019-06-102019-06-10 av Redaktør01200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering Nov, 2011 1200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering