How2Power
Nov 14, 2014 – 1200-V og 1700-V SiC Junction Transistors er posisjonert for å utfordre SiC MOSFET og Silicon IGBT
Elektronisk spesifikator
Nov 25, 2014 – Elektronisk spesifikasjonsdesignstøtte tilbys for bransjens laveste tap-brytere
IEEE PELS Magazine
Mar 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
Sammensatt Semi Online
Kan 14, 2015 – GeneSiC begynner å tilby SiC Junction Transistor-Diodes
TTI Market Eye
Apr 22, 2015 – GaN og SiC Power Device Presentasjoner på APEC
