GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications
DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i mellomspenningseffektkonverteringsapplikasjoner…
GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter
DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based…
Bodo’s Power Systems (S 46)
Kan, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications
Power Electronics Technology (S 36)
juli, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack Cuts Switching Losses
Bodo’s Power Systems (S 36)
oktober, 2011 – Breakthrough High Temperature Electrical Performance of SiC “Super” Junction Transistors