A 10-kV Large-Area 4H-SiC Power DMOSFET With Stable Subthreshold Behavior Independent of Temperature
Aug, 2008A 10-kV Large-Area 4H-SiC Power DMOSFET With Stable Subthreshold Behavior Independent of Temperature
Høy strøm 650V, 1200V og 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i mini-modul SOT-227-pakke
DULLES, VA, Kan 11, 2019 — GeneSiC blir markedsleder innen høystrømskapasitet (100 A og 200 EN) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lanserer bransjens best ytende 1700V SiC Schottky MPS™ dioder
DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC releases a comprehensive portfolio of its third generation 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in TO-247-2 package GeneSiC has introduced GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 and…
GeneSiC intervjuet på PCIM 2016 i Nürnberg, Tyskland
Power System Design Intervjuer GeneSiC Nürnberg, Tyskland mai 12, 2016 — GeneSiC Semiconductors president ble intervjuet av Alix Paultre fra Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) på PCIM-messen i Nürnberg,…
Transistor-dioder i helsilisiumkarbidforbindelse tilbys i en 4 Blyført minimodul
Sampakket SiC Transistor-Diode kombinasjon i en robust, isolert, 4-Blyført, minimodulemballasje reduserer energitap ved start og muliggjør fleksible kretsdesign for høyfrekvente strømomformere DULLES, VA, Kan 13, 2015…
