GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications
DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i mellomspenningseffektkonverteringsapplikasjoner…
GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter
DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based…
Høy strøm 650V, 1200V og 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i mini-modul SOT-227-pakke
DULLES, VA, Kan 11, 2019 — GeneSiC blir markedsleder innen høystrømskapasitet (100 A og 200 EN) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lanserer bransjens best ytende 1700V SiC Schottky MPS™ dioder
DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC releases a comprehensive portfolio of its third generation 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in TO-247-2 package GeneSiC has introduced GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 and…
Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT Modules from GeneSiC enables 175°C operation
DULLES, VA, mars 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its…