AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) med IGBT-portdrivere av silisium: Enkeltnivå kjørekonsept
AN-10B Driving SiC Junction Transistors (SJT): To-nivå Gate Drive-konsept
Dobbel pulsbryter
Dobbel pulsbryter
High Power Gate driverkort
High Power Gate driverkort
Low Power Gate driverkort
Low Power Gate driverkort
1200 V-klasse 4H-SiC “Super” Kryss -transistorer med nåværende gevinster på 88 og ultra-rask byttefunksjon
200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering
Utnytter løftet om høy temperatur om SiC
Utnytter løftet om høy temperatur om SiC