postet på 2019-06-102019-06-101200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering Nov, 2011 1200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering
postet på 2019-06-102019-06-10Utnytter løftet om høy temperatur om SiC Feb, 2012 Utnytter løftet om høy temperatur om SiC
postet på 2019-06-102019-06-10Silisiumkarbid “Super” Koblingstransistorer som opererer ved 500 ° C Apr, 2012 Silisiumkarbid “Super” Koblingstransistorer som opererer ved 500 ° C
postet på 2019-06-102019-06-10Stabilitet i elektriske egenskaper ved SiC "Super" Junction Transistors under langvarig DC og pulserende drift ved forskjellige temperaturer Kan, 2012 Stabilitet i elektriske egenskaper ved SiC "Super" Junction Transistors under langvarig DC og pulserende drift ved forskjellige temperaturer
postet på 2019-06-102019-06-10SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability Kan, 2012 SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
postet på 2019-06-102019-06-10Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs Okt, 2012 Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs
postet på 2019-06-102019-06-1010 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics Kan, 2013 10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
postet på 2019-06-102019-06-10Rask modning av SiC Junction-transistorer med nåværende gevinst (b) > 130, Blokkering av spenninger opp til 2700 V og stabil langvarig drift Okt, 2013 Rask modning av SiC Junction-transistorer med nåværende gevinst (b) > 130, Blokkering av spenninger opp til 2700 V og stabil langvarig drift
postet på 2019-06-102019-06-10Silicon Carbide Junction Transistors og Schottky-likerettere optimalisert for 250 ° C-drift Apr, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors og Schottky-likerettere optimalisert for 250 ° C-drift
postet på 2019-06-102019-06-10Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers Jun, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers