온도에 관계없이 안정적인 하위 임계값 동작을 제공하는 10kV 대면적 4H-SiC 전력 DMOSFET
8월, 2008온도에 관계없이 안정적인 하위 임계값 동작을 제공하는 10kV 대면적 4H-SiC 전력 DMOSFET
고전류 가능 650V, 1200미니 모듈 SOT-227 패키지의 V 및 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드
덜스, VA, 할 수있다 11, 2019 — GeneSiC는 고전류 기능의 시장 리더가되었습니다. (100 A와 200 ㅏ) SOT-227 미니 모듈 GeneSiC의 SiC 쇼트키 다이오드, GB2X50MPS17-227 출시, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC, 업계 최고 성능의 1700V SiC Schottky MPS 출시™ 다이오드
덜스, VA, 일월 7, 2019 — GeneSiC, TO-247-2 패키지의 3 세대 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드의 포괄적 인 포트폴리오 출시 GeneSiC에서 GB05MPS17-247 출시, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 및…
PCIM에서 인터뷰한 GeneSiC 2016 뉘른베르크에서, 독일
전력 시스템 설계 인터뷰 GeneSiC Nuremberg, 독일 5월 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor의 사장은 Power Systems Design의 Alix Paultre와 인터뷰했습니다. (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-ir-latest-silicon-carbide-tech/67) 뉘른베르크에서 열린 PCIM 쇼에서,…
All-Silicon Carbide Junction Transistors-Diodes provided in a 4 리드 미니 모듈
견고한 Co-packaged SiC 트랜지스터-다이오드 조합, 외딴, 4-리드, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters DULLES, VA, 할 수있다 13, 2015…