다중 kHz, 미국 연구원들에게 샘플링 된 초고압 실리콘 카바이드 사이리스터
덜스, VA, 십일월 1, 2010 –최초의 제품, GeneSiC Semiconductor는 전력용 6.5kV SCR 모드 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군 출시를 발표했습니다.…
GeneSiC, 실리콘 카바이드 사이리스터 기반 장치 개발을 위해 ARPA-E에서 $ 2.53M 획득
덜스, VA, 전 세계의 연구 기관 및 대학 28, 2010 – 고급 연구 프로젝트 기관 – 에너지 (아르파-E) GeneSiC Semiconductor가 이끄는 팀과 신규 개발을 위한 협력 계약을 체결했습니다.…
재생 가능 에너지 스러스트 네트 GeneSiC Semiconductor 미국 에너지 부로부터 150 만 달러
덜스, VA, 십일월 12, 2008 – 미국 에너지 부는 GeneSiC Semiconductor가 고전압 실리콘 카바이드 개발을 위해 총 150 만 달러에 달하는 두 개의 별도의 보조금을 수여했습니다. (SiC) 장치…
GeneSiC Semiconductor, 여러 미국 에너지 부 SBIR 및 STTR 보조금 수상
덜스, VA, 십월 23, 2007 — GeneSiC 반도체 Inc., 빠르게 떠오르는 고온 혁신가, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 3개 부문을 별도로 수상했다고 발표했습니다.…