アプリケーションノート:
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技術記事:
新興の炭化ケイ素パワーデバイスは、高電圧電力変換の革新的な変化を可能にします
10月, 2004新興の炭化ケイ素パワーデバイスは、高電圧電力変換の革新的な変化を可能にします
SiCMOSデバイスの信頼性
10月, 2004SiCMOSデバイスの信頼性
新しいSiCMOS-バイポーラスイッチ >10 kVアプリケーション
五月, 2006新しいSiCMOS-バイポーラスイッチ >10 kVアプリケーション
SiCパワーデバイスの信頼性と性能の制限
ジュン, 2006SiCパワーデバイスの信頼性と性能の制限
温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた10kV大面積4H-SiCパワーDMOSFET
8月, 2008温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた10kV大面積4H-SiCパワーDMOSFET