5クラス最高の効率を実現する第 6 世代 650V SiC ショットキー MPS™ ダイオード

ダレス, VA, 五月 28, 2021 — ニュース, 炭化ケイ素のパイオニアであり、世界的なサプライヤー (SiC) パワー半導体デバイス, 第5世代の発売を発表 (GE***シリーズ) 優れた価格性能指数で新しいベンチマークを設定している SiC Schottky MPS™ 整流器, 業界をリードするサージ電流とアバランシェの堅牢性, と高品質の製造.

「GeneSiC は、世界で初めて SiC ショットキー整流器を商業的に供給した SiC メーカーの 1 つです。 2011. 高性能で高品質の SiC 整流器を業界に供給して 10 年以上経った後、, SiC ショットキー MPS™ の第 5 世代をリリースできることを嬉しく思います。 (Merged-PiN-Schottky) サーバー/テレコム電源やバッテリー充電器などのアプリケーションで高効率と電力密度の目標を達成するために、あらゆる面で業界をリードする性能を提供するダイオード. 5代目となる革新的な機能 (GE***シリーズ) SiC ショットキー MPS™ ダイオードは、内蔵電圧が低いことが他の製品の中で際立っています。 (ニーボルテージとも呼ばれる);これにより、すべての負荷条件でダイオードの伝導損失を最小限に抑えることができます - 高効率のエネルギー使用を必要とするアプリケーションにとって重要. 低ニー特性を提供するように設計された他の競合他社の SiC ダイオードとは対照的に、, Gen5 ダイオード設計のもう 1 つの特徴は、依然として高いレベルのなだれを維持していることです。 (UIL) お客様が GeneSiC の Gen3 に期待する堅牢性 (GC***シリーズ) そしてGen4 (GD***シリーズ) SiCショットキーMPS™” 博士は言った. シドダース・スンダレサン, GeneSiC Semiconductor 技術担当副社長.

特徴 –

  • 低い内蔵電圧 – すべての負荷条件で最小の伝導損失
  • 優れた性能指数 – QC×VF
  • 最適な価格パフォーマンス
  • 強化されたサージ電流機能
  • 100% 雪崩 (UIL) テスト済み
  • クーラー動作のための低い熱抵抗
  • ゼロフォワードおよびリバースリカバリ
  • 温度に依存しない高速スイッチング
  • VFの正の温度係数

アプリケーション –

  • 力率補正のブーストダイオード (PFC)
  • サーバーおよびテレコム電源
  • ソーラーインバーター
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • バッテリーチャージャー
  • フリーホイーリング / インバーターの逆並列ダイオード

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.