How2Power
11月 14, 2014 – 1200-Vおよび1700VSiCジャンクショントランジスタは、SiCMOSFETおよびシリコンIGBTに挑戦するように配置されています
Electronicspecifier
11月 25, 2014 – 業界で最も損失の少ないスイッチに提供されるElectronicspecifierDesignサポート
IEEE PELS Magazine
3月 1, 2015 – 炭化ケイ素デバイスによる高温動作の約束を実現するIEEEPELS Magazine
コンパウンドセミオンライン
五月 14, 2015 – GeneSiCがSiC接合トランジスタ-ダイオードの提供を開始
TTIマーケットアイ
4月 22, 2015 – APECでのGaNおよびSiCパワーデバイスのプレゼンテーション
