SiCスイッチの駆動 – 化合物半導体マガジンから (Pg 41)
7月 29, 2013 – SJTはIGBTドライバーと互換性のある動作を提供します
パワーエレクトロニクスヨーロッパニュース
9月 5, 2013 – GeneSiCのSJTは、他のSiCスイッチよりも全体的な損失が少ないと述べています
今日の半導体
10月 28, 2014 – GeneSiCの発売が改善されました, より低いオン抵抗1700Vおよび1200VSiC接合トランジスタ
化合物半導体
10月 28, 2014 – SiC スイッチは、低伝導損失と優れた短絡機能を提供します。
IEEE PELS Magazine
3月 1, 2015 – 炭化ケイ素デバイスによる高温動作の約束の実現
