GeneSiCの業界をリードする6.5kVSiC MOSFET – アプリケーションの新しい波の先駆者
ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, 中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性…
GeneSiCが一流のRを獲得&SiCベースのモノリシックトランジスタ-整流器スイッチに対するD100賞
ダレス, VA, 12月 5, 2019 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2019 R&D 100 SiCベースの開発に対する賞…
ボドのパワーシステム (Pg 46)
五月, 2011 – 1200 パワーエレクトロニクスアプリケーション用のV / 100 A Si IGBT / SiCダイオードコパック
パワーエレクトロニクス技術 (Pg 36)
7月, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiCダイオードコパックがスイッチング損失を削減
ボドのパワーシステム (Pg 36)
10月, 2011 – SiC「スーパー」接合トランジスタの画期的な高温電気性能