250°C動作用に最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器
4月, 2014 250°C動作用に最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器
の静的およびスイッチング特性 1200 の静的およびスイッチング特性
ジュン, 2014 の静的およびスイッチング特性 1200 の静的およびスイッチング特性
AN-10A駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT) 既製のシリコンIGBTゲートドライバ付き: シングルレベルドライブコンセプト
五月 2013 AN-10A駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT) 既製のシリコンIGBTゲートドライバ付き: シングルレベルドライブのコンセプト
AN-10B駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT): 2レベルゲートドライブの概念
六月 2013 AN-10B駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT): 2レベルゲートドライブの概念
ダブルパルススイッチングボード
9月 2014 ダブルパルススイッチングボード
