Semiconduttore GeneSiC, Inc - Efficienza energetica attraverso l'innovazione
Numero di parteTensione di blocco (V)Resistenza (RDSON) (mΩ)Corrente di drenaggio [25°C] (ID) (UN)Guadagno di corrente CC (hFE)PacchettoImmagine del prodottoConfigurazioneModello SPICEConformitàDisponibilità del campione
GA100JT12-227120010160100SOT-227
GA20JT12-2471200504580TO-247-3
GA10JT12-247120010025100TO-247-3
GA05JT12-247120018015100TO-247-3
GA06JT12-2471200200660TO-247-3
GA03JT12-2471200470360TO-247-3
GA100JT17-227170010160100SOT-227
GA50JT17-247170020100100TO-247-3
GA16JT17-24717005045100TO-247-3
GA04JT17-247170018015100TO-247-3

Semiconduttore GeneSiC, Inc