Scheda driver gate a bassa potenza
sett 2014 Scheda driver gate a bassa potenza
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce
settembre, 2011 1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce
200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
nov, 2011 1200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC
febbraio, 2012 Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC
Carburo di silicio “Super” Transistori a giunzione operanti a 500°C
aprile, 2012 Carburo di silicio “Super” Transistori a giunzione operanti a 500°C