How2Power
nov 14, 2014 – 1200-I transistor di giunzione SiC V e 1700-V sono posizionati per sfidare i MOSFET SiC e gli IGBT al silicio
Specificatore elettronico
nov 25, 2014 – Supporto per la progettazione di Electronicspecifier offerto per gli interruttori a più bassa perdita del settore
Rivista IEEE PELS
Mar 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
Compound Semi Online
Maggio 14, 2015 – GeneSiC inizia a offrire diodi transistor a giunzione SiC
TTI Market Eye
aprile 22, 2015 – Presentazioni dei dispositivi di alimentazione GaN e SiC all'APEC
