Interruttori SiC di guida – dalla rivista Compound Semiconductor (Pg 41)
luglio 29, 2013 – Gli SJT offrono un funzionamento compatibile con i driver IGBT
Notizie di Power Electronics Europe
sett 5, 2013 – Gli SJT di GeneSiC hanno menzionato come offrire perdite complessive inferiori rispetto ad altri interruttori SiC
Semiconduttori oggi
ottobre 28, 2014 – Lanci di GeneSiC migliorati, transistor a giunzione SiC da 1700 V e 1200 V a resistenza di accensione inferiore
Compound Semiconductor
ottobre 28, 2014 – SiC switches offer low conduction losses and superior short circuit capability
Rivista IEEE PELS
Mar 1, 2015 – Mantenimento della promessa di funzionamento ad alta temperatura con dispositivi al carburo di silicio