MOSFET SiC da 6,5 kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni
DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione…
GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per interruttore transistor-raddrizzatore monolitico basato su SiC
DULLI, VA, dicembre 5, 2019 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2019 R&D 100 Premio per lo sviluppo di SiC-Based…
Bodo's Power Systems (Pg 46)
Maggio, 2011 – 1200 Copack diodi V / 100 A Si IGBT / SiC per applicazioni elettroniche di potenza
Tecnologia elettronica di potenza (Pg 36)
luglio, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack riduce le perdite di commutazione
Bodo's Power Systems (Pg 36)
ottobre, 2011 – Prestazioni elettriche rivoluzionarie ad alta temperatura dei transistor a giunzione "Super" SiC