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AN-1 1200 V Diodi Schottky con altezze di barriera invarianti di temperatura e fattori di idealità
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AN-2 1200 Diodi V SiC JBS con carica di recupero inversa capacitiva ultra-bassa per applicazioni di commutazione rapida
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Affidabilità del diodo di potenza SiC AN1001
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AN1002 Comprensione del foglio dati di un diodo Schottky di potenza SiC
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