Sviluppo di rivelatori di radiazioni a base di carburo di silicio semiisolante
ottobre, 2008 Sviluppo di rivelatori di radiazioni a base di carburo di silicio semiisolante
Correlazione tra la durata di ricombinazione della portante e la caduta di tensione diretta nei diodi PiN 4H-SiC
settembre, 2010 Correlazione tra la durata di ricombinazione della portante e la caduta di tensione diretta nei diodi PiN 4H-SiC
Co-pack di raddrizzatori ibridi Si-IGBT/SiC e raddrizzatori SiC JBS
settembre, 2011 Co-pack di raddrizzatori ibridi Si-IGBT/SiC e raddrizzatori SiC JBS
12.9 Diodi PiN SiC kV con basse cadute di stato on e lunga durata del portante
settembre, 2011 12.9 Diodi PiN SiC kV con basse cadute di stato on e lunga durata del portante
1200 V Raddrizzatori Schottky SiC ottimizzati per ≥ 250 Funzionamento in °C con la capacità di giunzione più bassa della categoria
luglio, 2012 1200 V Raddrizzatori Schottky SiC ottimizzati per ≥ 250 Funzionamento in °C con la capacità di giunzione più bassa della categoria