La promessa dell'alta temperatura nei transistor SiC realizzata attraverso pacchetti compatibili con standard di settore migliorerà in modo critico gli attuatori e gli alimentatori aerospaziali e del fondo pozzo
Dulles, Virginia., dic 10, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi l'immediata disponibilità attraverso i suoi distributori e direttamente una famiglia ad alta temperatura confezionata 600 Transistor a giunzione V SiC (SJT) nel 3-50 Correnti nominali in ampere nei pacchetti standard del settore JEDEC con foro passante e montaggio superficiale. Incorporando questi ad alta temperatura, bassa resistenza all'accensione, Transistor SiC ad alta frequenza in contenitori ermetici, le saldature e l'incapsulamento ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni di conversione di potenza ad alta temperatura.
Alimentatore contemporaneo ad alta temperatura, i circuiti di controllo e attuatore del motore utilizzati nelle applicazioni petrolifere/gas/downhole e aerospaziali soffrono della mancanza di disponibilità di una soluzione praticabile di carburo di silicio ad alta temperatura. I transistor al silicio soffrono di bassa efficienza del circuito e di grandi dimensioni perché soffrono di elevate correnti di dispersione e caratteristiche di commutazione basse e scadenti. Entrambi questi parametri peggiorano a temperature di giunzione più elevate. Con ambienti con vincoli termici, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di modeste correnti. I transistor SiC ermeticamente confezionati offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare la capacità delle applicazioni downhole e aerospaziali. GeneSiC 650 I transistor a giunzione SiC V/3-50 A sono caratterizzati da tempi di commutazione prossimi allo zero che non cambiano con la temperatura. Il 210IlI dispositivi con temperatura nominale di giunzione C offrono margini di temperatura relativamente ampi per applicazioni che operano in ambienti estremi.
I transistor di giunzione offerti da GeneSiC mostrano una capacità di commutazione ultraveloce, un'area operativa sicura quadrata con polarizzazione inversa (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura temperature. Questi interruttori sono esenti da ossido di gate, normalmente spento, esibire un coefficiente di temperatura positivo di resistenza all'accensione, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, I transistor a giunzione SiC possono essere facilmente messi in parallelo grazie alle loro corrispondenti caratteristiche transitorie.
“Mentre i progettisti di applicazioni di fondo pozzo e aerospaziale continuano a spingere i limiti della frequenza operativa, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, hanno bisogno di switch SiC in grado di offrire uno standard di prestazioni, affidabilità e uniformità di produzione. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti SJT di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere tutto ciò in una soluzione più robusta. Questi prodotti completano il raddrizzatore SiC confezionato ermetico rilasciato lo scorso anno da GeneSiC, e i prodotti a stampo nudo rilasciati all'inizio di quest'anno, mentre ci spiana la strada per offrire alte temperature, bassa induttanza, moduli di potenza nel prossimo futuro ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
Isolato TO-257 con 600 in SJT:
- 65 mOhm/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7637-GA); e 425 mOhm/4 Amp (2N7635-GA)
- Tjmax = 210IlC
- Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <50 nanosecondi tipici.
- Matrice nuda corrispondente GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); e GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)
Pacchetto prototipo TO-258 non isolato con 600 SJT
- 25 mOhm/50 Amp (Pacchetto prototipo GA50JT06-258)
- Tjmax = 210IlC
- Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <50 nanosecondi tipici.
- Matrice nuda corrispondente GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)
Montaggio superficiale TO-276 (SMD0.5) con 600 SJT
- 65 mOhm/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7638-GA); e 425 mOhm/4 Amp (2N7636-GA)
- Tjmax = 210IlC
- Accendi / spegni; Tempi di salita / discesa <50 nanosecondi tipici.
Tutti i dispositivi sono 100% testato a piena tensione/corrente e alloggiato in contenitori ermetici. Sono offerti supporto tecnico e modelli di circuiti SPICE. I dispositivi sono immediatamente disponibili da GeneSiC Direttamente e/o tramite i suoi Distributori Autorizzati.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include raddrizzatori basati su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di alimentazione SiC, con prodotti mirati alle energie alternative, settore automobilistico, giù per le trivellazioni petrolifere, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni per gruppi di continuità. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi US, including the ARPA-E, Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori governativi principali. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, per favore visita https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
