Transistori di giunzione SiC pilota AN-10A (SJT) con driver per gate IGBT in silicio standard: Concetto di azionamento a un livello
AN-10B per pilotare transistor a giunzione SiC (SJT): Concetto di gate drive a due livelli
Scheda di commutazione a doppio impulso
Scheda di commutazione a doppio impulso
Scheda driver gate ad alta potenza
Scheda driver gate ad alta potenza
Scheda driver gate a bassa potenza
Scheda driver gate a bassa potenza
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce
200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC
Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC