postato su 2019-06-102019-06-101200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza nov, 2011 1200 V SiC Transistori a giunzione “Super” operanti a 250 °C con perdite di energia estremamente basse per applicazioni di conversione di potenza
postato su 2019-06-102019-06-10Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC febbraio, 2012 Sfruttare la promessa di alte temperature del SiC
postato su 2019-06-102019-06-10Carburo di silicio “Super” Transistori a giunzione operanti a 500°C aprile, 2012 Carburo di silicio “Super” Transistori a giunzione operanti a 500°C
postato su 2019-06-102019-06-10Stabilità delle caratteristiche elettriche dei transistor a giunzione "Super" SiC in condizioni di funzionamento CC e pulsato a lungo termine a varie temperature Maggio, 2012 Stabilità delle caratteristiche elettriche dei transistor a giunzione "Super" SiC in condizioni di funzionamento CC e pulsato a lungo termine a varie temperature
postato su 2019-06-102019-06-10Transistor a giunzione "Super" SiC con Ultra-Fast (< 15 n.s) Capacità di commutazione Maggio, 2012 Transistor a giunzione "Super" SiC con Ultra-Fast (< 15 n.s) Capacità di commutazione
postato su 2019-06-102019-06-10Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC ottobre, 2012 Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC
postato su 2019-06-102019-06-1010 kV SiC BJT – statico, caratteristiche di commutazione e affidabilità Maggio, 2013 10 kV SiC BJT – statico, caratteristiche di commutazione e affidabilità
postato su 2019-06-102019-06-10Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine ottobre, 2013 Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine
postato su 2019-06-102019-06-10Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C aprile, 2014 Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C
postato su 2019-06-102019-06-10Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip giu, 2014 Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip