DULLES, VA, מאי 28, 2021 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה חשמליים, מודיעה על זמינות הדור החמישי (סדרת GE ***) SiC Schottky MPS™ rectifiers that are setting up a new benchmark with their superior price-performance index, industry-leading surge current and avalanche robustness, and high quality manufacturing.
“GeneSiC was one of the first SiC manufacturers to commercially supply SiC Schottky rectifiers in 2011. After more than a decade of supplying high-performance and high-quality SiC rectifiers in the industry, we are excited to release our 5th generation of SiC Schottky MPS™ (Merged-PiN-Schottky) diodes that offer industry-leading performance in all aspects to meet the high efficiency and power density goals in applications like server/telecom power supplies and battery chargers. The revolutionary feature that makes our 5th Generation (סדרת GE ***) SiC Schottky MPS™ diodes stand out among its peers is the low built-in voltage (also known as knee-voltage);it enables lowest diode conduction losses at all load conditions – crucial for applications demanding high-efficiency energy usage. In contrast to other competitor SiC diodes also designed to offer low-knee characteristics, an additional feature of our Gen5 diode designs is that they still maintain that high level of avalanche (UIL) ruggedness that our customers have come to expect from GeneSiC’s Gen3 (GC*** series) and Gen4 (GD*** series) SiC Schottky MPS ™” אמר ד"ר. סידארת 'סונדרסן, Vice President of Technology at GeneSiC Semiconductor.
תכונות –
- Low Built-In Voltage – Lowest Conduction Losses for All Load Conditions
- Superior Figure of Merit – QC x VF
- Optimal Price Performance
- יכולת זרם נחשול משופרת
- 100% Avalanche (UIL) Tested
- Low Thermal Resistance for Cooler Operation
- Zero Forward and Reverse Recovery
- Temperature Independent Fast Switching
- Positive Temperature Coefficient of VF
יישומים –
- שפר את הדיודה בתיקון גורמי כוח (PFC)
- Server and Telecom Power Supplies
- ממירי שמש
- ספקי כוח אל פסק (יו פי אס)
- Battery Chargers
- רצון חופשי / דיודה אנטי מקבילה בממירים
GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™
GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™
GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™
כל המכשירים זמינים לרכישה באמצעות מפיצים מורשים – www.genesicsemi.com/sales-support
עבור גליון נתונים ומשאבים אחרים, לְבַקֵר – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ או ליצור קשר sales@genesicsemi.com
על GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor היא חלוצה ומובילה עולמית בטכנולוגיית סיליקון קרביד, תוך השקעה גם בטכנולוגיות סיליקון בעלות הספק גבוה. היצרניות המובילות בעולם של מערכות תעשייה והגנה תלויות בטכנולוגיה של GeneSiC כדי להעלות את הביצועים והיעילות של המוצרים שלהם. הרכיבים האלקטרוניים של GeneSiC פועלים מקררים יותר, מהר יותר, וכלכלית יותר, ולמלא תפקיד מפתח בחיסכון באנרגיה במגוון רחב של מערכות הספק גבוה. אנו מחזיקים בפטנטים מובילים על טכנולוגיות התקן כוח בעלות פס רחב; שוק שצפוי להגיע ליותר מ $1 מיליארד על ידי 2022. יכולת הליבה שלנו היא להוסיף ערך רב יותר ללקוחות שלנו’ מוצר סופי. מדדי הביצועים והעלות שלנו קובעים סטנדרטים בענף הסיליקון קרביד.
