DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה
אוגוסט, 2008DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה
זרם גבוה המסוגל 650 וולט, 1200דיודות SiC Schottky MPS ™ V ו- 1700 V בחבילה מיני-מודול SOT-227
DULLES, VA, מאי 11, 2019 — GeneSiC הופכת למובילת שוק בתחום יכולת הזרם הגבוה (100 A ו- 200 א) דיודות שוטקי SiC במודול מיני SOT-227 GeneSiC הציגו GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC משחררת את ה-1700V SiC Schottky MPS עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה™ דיודות
DULLES, VA, יָנוּאָר 7, 2019 — GeneSiC משחררת תיק מקיף של דיודות ה- SiC Schottky MPS ™ מהדור השלישי של 1700V בחבילה TO-247-2. GeneSiC הציגה את GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 ו-…
GeneSiC התראיין ב-PCIM 2016 בנירנברג, גֶרמָנִיָה
Power System Design ראיונות GeneSiC נירנברג, גרמניה מאי 12, 2016 — נשיא GeneSiC Semiconductor התראיין על ידי Alix Paultre מ-Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) בתערוכת PCIM בנירנברג,…
כל-סיליקון קרביד טרנזיסטורים-דיודות המוצעות ב 4 מיני מודול עופרת
שילוב SiC טרנזיסטור-דיודה באריזה משותפת במבנה חזק, מְבוּדָד, 4-עופרת, אריזת מיני-מודולים מפחיתה הפסדי אנרגיה בהפעלה ומאפשרת עיצובי מעגלים גמישים עבור ממירי הספק בתדר גבוה DULLES, VA, מאי 13, 2015…