שילוב SiC טרנזיסטור-דיודה באריזה משותפת במבנה חזק, מְבוּדָד, 4-עופרת, אריזת מיני-מודולים מפחיתה הפסדי אנרגיה בהפעלה ומאפשרת עיצובי מעגלים גמישים עבור ממירי הספק בתדר גבוה
DULLES, VA, מאי 13, 2015 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית של 20 mOhm-1200 V SiC צומת טרנזיסטור-דיודות במבודד, 4-אריזת מיני מודול עופרת המאפשרת הפסדי אנרגיות הפעלה נמוכים במיוחד תוך מתן גמישות, עיצובים מודולריים בממירי הספק בתדר גבוה. השימוש בתדר גבוה, טרנזיסטורי ומיישרים SiC בעלי מתח גבוה והתנגדות נמוכה יצמצמו את הגודל/משקל/נפח של יישומי אלקטרוניקה הדורשים טיפול בהספק גבוה יותר בתדרי פעולה גבוהים. התקנים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל תנורי אינדוקציה, מחוללי פלזמה, מטענים מהירים, ממירי DC-DC, וספקי כוח מודפסים.
1200 V/20 mOhm מיישר טרנזיסטור צומת סיליקון קרביד ארוז באריזה מבודדת SOT-227 המספקת יכולת נפרדת של מקור שער וכיור
טרנזיסטורי SiC Junction באריזה משותפת (SJT)-מיישרי SiC המוצעים על ידי GeneSiC מתאימים באופן ייחודי ליישומי מיתוג אינדוקטיבי מכיוון ש-SJTs הם היחידים שמציעים מתג רחב-פס >10 יכולת קצר חשמלי חוזרת של microsec, אפילו ב 80% של המתחים הנקובים (לְמָשָׁל. 960 V עבור א 1200 מכשיר V). בנוסף לזמני העלייה/נפילות מתחת ל-10 נס"ק ואזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובע (RBSOA), מסוף ה-Gate Return בתצורה החדשה משפר משמעותית את היכולת להפחית את אנרגיות המיתוג. מחלקה חדשה זו של מוצרים מציעה הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורת הצומת. טרנזיסטורי SiC Junction מבית GeneSiC הם ללא תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, ומסוגלים להיות מונעים במתחי שער נמוכים, בניגוד למתגי SiC אחרים.
מיישרי SiC Schottky המשמשים במיני-מודולים אלה מראים נפילות מתח נמוכות במצב במצב, דירוג זרם נחשול טוב וזרמי הדליפה הנמוכים ביותר בתעשייה בטמפרטורות גבוהות. עם טמפרטורה בלתי תלויה, מאפייני מיתוג התאוששות הפוכה כמעט באפס, מיישרי SiC Schottky הם מועמדים אידיאליים לשימוש במעגלים בעלי יעילות גבוהה.
“מוצרי הטרנזיסטור והמיישר SiC של GeneSiC מתוכננים ומיוצרים כדי לממש הפסדי מצב ומיתוג נמוכים. שילוב של טכנולוגיות אלו בחבילה חדשנית מבטיח ביצועים מופתיים במעגלי חשמל הדורשים התקנים מבוססי פער פס רחב. אריזת המיני מודול מציעה גמישות עיצובית רבה לשימוש במגוון מעגלי חשמל כמו H-Bridge, Flyback וממירים מרובי רמות” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.
המוצר ששוחרר היום כולל
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Remectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• חבילת SOT-227 מבודדת/מיני בלוק/איזוטופ
• חיזוק זרם טרנזיסטור (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (מוגבל על ידי אריזה)
• הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <10 ננו-שניות אופייניות.
כל המכשירים הם 100% נבדק לפי דירוגי מתח/זרם מלאים. המכשירים זמינים מיד מבית GeneSiC מפיצים מורשים.
למידע נוסף, בבקשה תבקר: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/
אודות GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מודולים של דיודות סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.
