התעשייה המובילה בתעשייה של GeneSiC 6.5kV SiC MOSFETs – ואנגארד לגל חדש של יישומים
DULLES, VA, אוֹקְטוֹבֶּר 20, 2020 — GeneSiC משחררת 6.5kV סיליקון קרביד MOSFET כדי להוביל את החזית באספקת רמות ביצועים חסרות תקדים, יעילות ואמינות ביישומי המרת מתח בינוני…
GeneSiC זוכה ב- R היוקרתית&פרס D100 למתג מיישר טרנזיסטור-מיישר מבוסס SiC
DULLES, VA, דֵצֶמבֶּר 5, 2019 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc.. של דאלס, VA כמקבל היוקרתי 2019 ר&ד 100 פרס לפיתוח SiC מבוסס…
זרם גבוה המסוגל 650 וולט, 1200דיודות SiC Schottky MPS ™ V ו- 1700 V בחבילה מיני-מודול SOT-227
DULLES, VA, מאי 11, 2019 — GeneSiC הופכת למובילת שוק בתחום יכולת הזרם הגבוה (100 A ו- 200 א) דיודות שוטקי SiC במודול מיני SOT-227 GeneSiC הציגו GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC משחררת את ה-1700V SiC Schottky MPS עם הביצועים הטובים ביותר בתעשייה™ דיודות
DULLES, VA, יָנוּאָר 7, 2019 — GeneSiC משחררת תיק מקיף של דיודות ה- SiC Schottky MPS ™ מהדור השלישי של 1700V בחבילה TO-247-2. GeneSiC הציגה את GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 ו-…
מיישר SiC Schottky מיישר / מודולי Si IGBT מבית GeneSiC מאפשר הפעלה של 175 מעלות צלזיוס
DULLES, VA, מרץ 5, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה חשמל מודיעים היום על זמינותם המיידית…
