מיישר SiC Schottky מיישר / מודולי Si IGBT מבית GeneSiC מאפשר הפעלה של 175 מעלות צלזיוס

DULLES, VA, מרץ 5, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן 1200 מיישרי SiC ותיריסטורים בעלי קיבולת נמוכה יאפשרו הטבות ברמת המערכת שלא היו אפשריות קודם לכן. נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier. נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, ממירי שמש, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier.

נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier (נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier) נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, בדרך כלל זמין 15 נהגי שער IGBT. נקודת הביצועים-מחיר שבה מוצר זה משוחרר מאפשרת ליישומי המרת הספק רבים להפיק תועלת מהפחתת העלות/גודל/משקל/נפח שאף פתרון של Silicon IGBT/Silicon Rectifier, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, 12נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה (נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה), נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה.

“נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה 2 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה 1200 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה. "הצעות המוצרים הללו מגיעות משנים של מאמצי פיתוח מתמשכים ב- GeneSiC לקראת הצעת מכשירים וחבילות משכנעות, נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

1200 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה

  • מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 1.9 מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה 100 א
  • מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה
  • Tjmax = 175 מעלות צלזיוס
  • נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה 23 נפילת מתח נמוכה במצב וללא התאוששות הפוכה (מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה).

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, חבילות SOT-227 תואמות RoHS. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.