DULLES, VA, אוגוסט 30, 2011 - פיזיקה חדשה מאפשרת לתריסטורים להגיע לרמה גבוהה יותר
רשת חשמל מספקת חשמל אמין בעזרת מכשירים אלקטרוניים המבטיחים חלקה, זרימת כוח אמינה. עד עכשיו, סומכים על מכלולים מבוססי סיליקון, אך הם לא הצליחו להתמודד עם דרישות הרשת החכמה. חומרים בעלי פער רחב כגון סיליקון קרביד (SiC) מציעים אלטרנטיבה טובה יותר מכיוון שהם מסוגלים למהירויות מיתוג גבוהות יותר, מתח פירוק גבוה יותר, הפסדי מיתוג נמוכים יותר, וטמפרטורת צומת גבוהה יותר מאשר מתגים מבוססי סיליקון מסורתיים. המכשיר הראשון מבוסס SiC שהגיע לשוק הוא תריסטור סיליקון קרביד במתח גבוה במיוחד (SiC Thyristor), פותחה על ידי GeneSiC Semiconductor Inc., דאלס, Va., בתמיכת המעבדות הלאומיות של סנדיה, אלבוקרקי, נ.מ., ארצות הברית. מחלקת משלוח אנרגיה/חשמל, וארה"ב. מחקר צבא/חימוש, מרכז פיתוח והנדסה, ארסנל פיקטיני, N.J.
המפתחים אימצו פיזיקה תפעולית שונה עבור מכשיר זה, הפועלת על הובלת נושאי מיעוטים ומיישר מסוף שלישי משולב, שהוא אחד יותר ממכשירי SiC מסחריים אחרים. מפתחים אימצו טכניקת ייצור חדשה התומכת בדירוגים למעלה 6,500 ו, כמו גם עיצוב חדש של אנודות שער למכשירים בעלי זרם גבוה. מסוגל לבצע בטמפרטורות עד 300 C וזרם ב- 80 א, סירי Thyristor מציע עד 10 מתח גבוה פי כמה, מתח חסימה גבוה פי ארבעה, ו 100 תדר מיתוג מהיר פי כמה מאשר תריסטורים מבוססי סיליקון.
