טמפרטורה גבוהה (210 ג) טרנזיסטורי SiC Junction מוצעים באריזות הרמטיות

ההבטחה לטמפרטורה גבוהה בטרנזיסטורי SiC שתמומש באמצעות חבילות תואמות בתקן תעשייתי תשפר באופן קריטי את המפעילים ואת ספקי הכוח בבור ובתעופה וחלל

דאלס, וירג'יניה., דצמבר 10, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים היום על זמינות מיידית דרך המפיצים שלהם ובאופן ישיר משפחתית ארוזה בטמפרטורה גבוהה 600 טרנזיסטורי צומת V SiC (SJT) בתוך ה 3-50 דירוגים נוכחיים של אמפר בתקן JEDEC דרך חורים והרכבה על פני השטח. שילוב של טמפרטורות גבוהות אלה, התנגדות נמוכה, טרנזיסטורי SiC בתדר גבוה באריזות הרמטיות, הלחמות ואנקפסולציה בטמפרטורה גבוהה יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של יישומי המרת הספק בטמפרטורה גבוהה.HiT_Schottky

ספק כוח עכשווי בטמפרטורה גבוהה, מעגלי בקרת מנוע ומפעילים המשמשים ביישומי נפט/גז/בור בור וחלל סובלים מחוסר זמינות של פתרון סיליקון קרביד בר-קיימא בטמפרטורה גבוהה. טרנזיסטורי סיליקון סובלים מיעילות מעגל נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שהם סובלים מזרמי דליפה גבוהים וממאפייני מיתוג נמוכים. שני הפרמטרים הללו מחמירים בטמפרטורות גבוהות יותר של צומת. עם סביבות מגבלות תרמיות, טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר עוברים זרמים צנועים. טרנזיסטורי SiC ארוזים הרמטית מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה ביכולת של יישומי בור ותעופה וחלל. של GeneSiC 650 טרנזיסטורי V/3-50 A SiC Junction כוללים כמעט אפס זמני מיתוג שאינם משתנה עם הטמפרטורה. ה 210ההתקנים מדורגים בטמפרטורה של צומת C מציעים שולי טמפרטורה גדולים יחסית עבור יישומים הפועלים בסביבות קיצוניות.

טרנזיסטורי צומת המוצעים על ידי GeneSiC מציגים יכולת מיתוג מהירה במיוחד, אזור הפעלה בטוח מוטה לאחור (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג שאינם תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה נטולי תחמוצת שער, כבוי בדרך כלל, להפגין מקדם טמפרטורה חיובי של התנגדות, ומסוגלים להיות מונעים על ידי פרסומות, בדרך כלל זמין 15 נהגי שער IGBT, בניגוד למתגי SiC אחרים. תוך מתן תאימות עם נהגי SiC JFET, ניתן להקביל בקלות טרנזיסטורי SiC Junction בגלל מאפייני המעבר התואמים שלהם.

“בעוד מתכנני יישומי בור וחלל ממשיכים לדחוף את גבולות תדירות ההפעלה, תוך עדיין דרישה ליעילות גבוהה במעגל, הם צריכים מתגי SiC שיכולים להציע סטנדרט של ביצועים, אמינות ואחידות ייצור. שימוש במכשירים הייחודיים ובחידושי הייצור, מוצרי SJT של GeneSiC עוזרים למעצבים להשיג את כל זה בפתרון חזק יותר. מוצרים אלה משלימים את מיישר SiC הארוז הרמטי שיצא בשנה שעברה על ידי GeneSiC, ומוצרי המות החשופות שיצאו מוקדם יותר השנה, תוך סלילה לנו את הדרך להציע טמפרטורה גבוהה, השראות נמוכה, מודולי כוח בעתיד הקרוב ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

מבודד TO-257 עם 600 ב-SJTs:

  • 65 mOhms/20 אמפר (2N7639-GA); 170 mOhms/8 אמפר (2N7637-GA); ו 425 mOhms/4 אמפר (2N7635-GA)
  • טjmax = 210הג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <50 ננו-שניות אופייניות.
  • המקביל Bare Die GA20JT06-CAL (ב-2N7639-GA); GA10JT06-CAL (ב-2N7637-GA); ו-GA05JT06-CAL (ב-2N7635-GA)

חבילת אב טיפוס לא מבודדת TO-258 עם 600 SJTs

  • 25 mOhms/50 אמפר (חבילת אב טיפוס GA50JT06-258)
  • טjmax = 210הג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <50 ננו-שניות אופייניות.
  • המקביל Bare Die GA50JT06-CAL (ב-GA50JT06-258)

מתלה עילי TO-276 (SMD0.5) עם 600 SJTs

  • 65 mOhms/20 אמפר (2N7640-GA); 170 mOhms/8 אמפר (2N7638-GA); ו 425 mOhms/4 אמפר (2N7636-GA)
  • טjmax = 210הג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה/נפילה <50 ננו-שניות אופייניות.

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח/זרם מלא ומאוחסן באריזות הרמטיות. נבדק לדירוג מתח/זרם מלא ומאוחסן באריזות הרמטיות. המכשירים זמינים באופן מיידי מ- GeneSiC ישירות ו/או דרך המפיצים המורשים שלה.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, וספק עולמי של מגוון רחב של מוליכים למחצה כוח. סל המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות העדכנית ביותר בהתקני כוח SiC, עם מוצרים המיועדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוח שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אל פסק. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה בפרס R&פרס D100 על מסחור מתח גבוה במיוחד של SiC תיריסטורים.

למידע נוסף, בבקשה תבקר https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt