SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
אפיון היציבות של רווח נוכחי ופעולת מצב מפולת של BJTs 4H-SiC
10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation
Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A טרנזיסטורי צומת SiC (SJT) עם מנהלי התקני שער IGBT הסיליקון מהמדף: קונספ כונן חד-מפלסי
AN-10B נהיגה טרנזיסטורי צומת SiC (SJT): קונספט כונן שער דו-מפלסי
לוח מיתוג דופק כפול
לוח מיתוג דופק כפול
לוח נהגי שער גבוה
לוח נהגי שער גבוה