GeneSiC s'efforce de fournir les meilleures conceptions orientées client possible en fournissant des dispositifs d'alimentation SiC avec un indice coût-performance supérieur, grande robustesse et haute qualité.
Les applications incluent:
- Diode Boost dans la correction du facteur de puissance (PFC)
- Alimentation à découpage (SMPS)
- Véhicules électriques – Groupe motopropulseur, Convertisseur DC-DC et charge embarquée
- Infrastructure de charge extrêmement rapide
- Onduleurs solaires et stockage d'énergie
- Traction
- Alimentations de centre de données
- Chauffage et soudage par induction
- Convertisseurs CC-CC haute tension
- Roue libre / Diode anti-parallèle
- Éclairage LED et HID
- Systèmes d'imagerie médicale
- Convertisseurs de puissance de forage pétrolier en fond de trou
- Détection haute tension
- Puissance pulsée
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Pour les applications de détection de haute tension telles que la protection DE-SAT et les circuits d'amorçage de commande de grille de commutation haute tension, les packages DO-214 et TO-252-2 sont des solutions idéales.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Le package TO-247-3 offre une grande flexibilité pour une densité de puissance plus élevée et une réduction de la nomenclature dans des applications telles que la correction du facteur de puissance (PFC) inter qui partagent une cathode commune entre deux diodes.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Notes d'application:
AN-1 1200 Diodes V Schottky avec hauteurs de barrière invariantes en température et facteurs d'idéalité
oct 2010 AN-1 1200 Diodes V Schottky avec hauteurs de barrière invariantes en température et facteurs d'idéalité
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