Mabilis na pagkahusga Sic Junction Transistor Na nagtatampok ng Kasalukuyang Makakuha ng (β) > 130, Pagharang ng mga Boltahe Hanggang sa 2700 V at Matatag na Pangmatagalang Operasyon
Katatagan ng Mga Katangian ng Elektrikal ng SiC "Super" Junction Transistors sa ilalim ng Pangmatagalang DC at Pulsed Operation sa iba't ibang Temperatura
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
200 V SiC "Super" Junction Transistors na nagpapatakbo sa 250 °C na may napakababang enerhiya pagkawala para sa mga application ng power conversion