Co-pakete SiC Transistor-Diode kumbinasyon sa isang matibay, nakahiwalay, 4-Namuno, mini-module packaging binabawasan Turn-On enerhiya pagkawala at nagbibigay-kakayahan sa nababaluktot circuit disenyo para sa mataas na dalas ng kapangyarihan converters
MGA DULLES, VA, Mayo 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes sa isang nakahiwalay na, 4-Leaded mini-module packaging na nagbibigay-kakayahan sa lubhang mababang Turn-On enerhiya pagkawala habang nag-aalok ng nababaluktot, modular disenyo sa mataas na dalas ng kapangyarihan converters. Ang paggamit ng mataas na dalas, mataas na boltahe at mababang on-resistance na may kakayahang SiC Transistors at Rectifiers ay mabawasan ang laki / timbang / dami ng mga electronic application na nangangailangan ng mas mataas na kapangyarihan paghawak sa mataas na operating frequencies. Ang mga device na ito ay target na gamitin sa isang malawak na iba't ibang mga application kabilang ang induction heaters, plasma generators, mabilis na chargers, DC-DC converters, at lumipat mode kapangyarihan supplies.
1200 V/20 mOhm Silicon Carbide Junction Transistor Rectifier-Copackaged sa isang Nakahiwalay na SOT-227 pakete na nagbibigay ng hiwalay na Gate Source at Kakayahang Balat
Co-pakete SiC Junction Transistors (SJT)-Sic Rectifiers inaalok ng GeneSiC ay natatanging angkop sa inductive paglipat ng mga application dahil SJTs ay ang tanging malawak na switch nag-aalok ng >10 microsec paulit-ulit maikling circuit kakayahan, kahit na sa 80% ng rated boltahe (itlog. 960 V para sa isang 1200 V aparato). Bilang karagdagan sa sub-10 nsec rise / bumabagsak na oras at isang parisukat reverse biased ligtas na operasyon lugar (RBSOA), ang Gate Bumalik terminal sa bagong configuration makabuluhang nagpapabuti ng kakayahan upang mabawasan ang paglipat enerhiya. Ang mga bagong klase ng mga produkto ay nag-aalok ng transient enerhiya pagkawala at paglipat ng mga oras na independiyenteng ng junction temperatura. SiC Junction Transistors mula sa GeneSiC ay gate-oxide libreng, normal-off, eksibit positibong temperatura co-mahusay na ng on-pagtutol, at ay may kakayahang itaboy sa mababang boltahe ng Gate, hindi tulad ng iba pang mga SiC switch.
Sic Schotky Rectifier na ginamit sa mga mini-module ipakita mababang-estado boltahe drops, magandang siruhano kasalukuyang mga rating at industriya pinakamababang leakage kasalukuyang sa mataas na temperatura. Gamit ang temperatura independiyenteng, malapit-zero reverse pagbawi paglipat katangian, Sic Schotky rectifier ay ideal na kandidato para gamitin sa mataas na kahusayan circuits.
“GeneSiC's Sic Transistor at Rectifier produkto ay dinisenyo at manufactured upang mapagtanto mababa sa estado at paglipat ng pagkalugi. Ang kumbinasyon ng mga teknolohiyang ito sa isang makabagong pakete ay nangangako ng huwaran sa pagganap sa kapangyarihan circuits hinihingi ng malawak na bandgap batay sa aparato. Ang mini-module packaging ay nag-aalok ng mahusay na kakayahang magdisenyo ng flexibility para gamitin sa iba't ibang uri ng kapangyarihan circuits tulad ng H-Bridge, Flyback at multi-level inverters” sinabi Dr. rantso singh, Pangulo ng GeneSic Semiconductor.
Produkto inilabas ngayon isama
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor /Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Nakahiwalay na SOT-227/mini-block/Isotop pakete
• Transistor Kasalukuyang Makakuha (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado sa pamamagitan ng packaging)
• I-on/i-off; Tumaas/ Mahulog beses <10 nanoseconds karaniwang.
Lahat ng device ay 100% sinubukan sa buong boltahe / kasalukuyang mga marka. Ang mga device ay agad makukuha mula sa GeneSic's Awtorisadong mga Distributor.
Para sa karagdagang impormasyon, mangyaring bisitahin: https://192.168.88.14/komersyal-sic/sic-modules-copack/
Tungkol sa GeneSic Semiconductor Inc.
GeneSiC ang Inc. ay isang nangungunang makabagong-likha sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan at ultra-mataas na boltahe silicon carbide (Sic) mga kagamitan, at global supplier ng isang malawak na hanay ng mga kapangyarihan semiconductors. Nito portfolio ng mga device ay kinabibilangan ng SiC-based na rectifier, transistor, at mga produkto ng thyristor, pati na rin ang Silicon diode module. GeneSiC ay bumuo ng malawakang intelektwal na ari-arian at teknikal na kaalaman na sumasakop sa pinakabagong mga advanced sa Sic power device, na may mga produkto target patungo sa alternatibong enerhiya, automotive, downhole langis pagmamaneho, kontrol ng motor, kapangyarihan supply, transportasyon, at hindi mapipigilan ang mga aplikasyon ng kapangyarihan. Sa 2011, ang kumpanya napanalunan ang prestihiyoso R&D100 award para sa commercializing ultra-mataas na boltahe Sic Thyristors.
