Tecnología de electrónica de potencia
Febrero, 2012 – Sic: Un compuesto semiconductor de potencia resistente a tener en cuenta
Tecnología de electrónica de potencia (Pg 21)
noviembre, 2011 – Los transistores de unión "Super" SiC ofrecen un rendimiento revolucionario a alta temperatura
Sistemas de energía de Bodo (Pg 36)
Octubre, 2011 – Rendimiento eléctrico revolucionario para altas temperaturas de los transistores de unión “Super” de SiC
Tecnología de electrónica de potencia (Pg 36)
mes de julio, 2011 – 1200 Copack de diodo V / 100 A Si IGBT / SiC reduce las pérdidas de conmutación
Sistemas de energía de Bodo (Pg 46)
Mayo, 2011 – 1200 V/100 A Si IGBT/SiC Diode Copack for Power Electronic Applications