notas de aplicación:
AN-1 1200 Diodos V Schottky con alturas de barrera invariantes a la temperatura y factores de idealidad
Oct 2010 AN-1 1200 Diodos V Schottky con alturas de barrera invariantes a la temperatura y factores de idealidad
AN-2 1200 Diodos V SiC JBS con carga de recuperación inversa capacitiva ultrabaja para aplicaciones de conmutación rápida
Oct 2010 AN-2 1200 Diodos V SiC JBS con carga de recuperación inversa capacitiva ultrabaja para aplicaciones de conmutación rápida
Fiabilidad del diodo de potencia AN1001 SiC
Septiembre, 2018Fiabilidad del diodo de potencia AN1001 SiC
AN1002 Comprensión de la hoja de datos de un diodo Schottky de potencia SiC
Septiembre, 2018AN1002 Comprensión de la hoja de datos de un diodo Schottky de potencia SiC
Instrucciones de uso del modelo AN1003 SPICE
diciembre, 2018Instrucciones de uso del modelo AN1003 SPICE
Articulos tecnicos:
Rectificadores de SiC PiN de alta potencia
dic, 2005 Rectificadores de SiC PiN de alta potencia
Rectificadores SiC PiN de alta potencia
jun, 2007 Rectificadores SiC PiN de alta potencia
Detección rápida de neutrones con detectores semi-aislantes de carburo de silicio
jun, 2008 Detección rápida de neutrones con detectores semi-aislantes de carburo de silicio
Desarrollo de detectores de radiación basados en carburo de silicio semi-aislante
Oct, 2008 Desarrollo de detectores de radiación basados en carburo de silicio semi-aislante
Correlación entre el tiempo de vida de la recombinación de portadora y la caída de voltaje directo en diodos PiN 4H-SiC
septiembre, 2010 Correlación entre el tiempo de vida de la recombinación de portadora y la caída de voltaje directo en diodos PiN 4H-SiC
