notas de aplicación:
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Articulos tecnicos:
Transistores de unión "Super" SiC con ultrarrápidos (< 15 ns) Capacidad de conmutación
Mayo, 2012 Transistores de unión "Super" SiC con ultrarrápidos (< 15 ns) Capacidad de conmutación
Caracterización de la estabilidad de la ganancia de corriente y el funcionamiento en modo avalancha de los BJT 4H-SiC
Oct, 2012 Caracterización de la estabilidad de la ganancia de corriente y el funcionamiento en modo avalancha de los BJT 4H-SiC
10 kV SiC BJT - estático, características de conmutación y confiabilidad
Mayo, 2013 10 kV SiC BJT - estático, características de conmutación y confiabilidad
Transistores de unión SiC de rápida maduración con ganancia de corriente (B) > 130, Voltajes de bloqueo hasta 2700 V y operación estable a largo plazo
Oct, 2013 Transistores de unión SiC de rápida maduración con ganancia de corriente (B) > 130, Voltajes de bloqueo hasta 2700 V y operación estable a largo plazo
Transistores de unión de carburo de silicio y rectificadores Schottky optimizados para un funcionamiento a 250 °C
AN-10A Conducción de transistores de unión SiC, 2014 Transistores de unión de carburo de silicio y rectificadores Schottky optimizados para un funcionamiento a 250 °C