Transistores de unión SiC de rápida maduración con ganancia de corriente (B) > 130, Voltajes de bloqueo hasta 2700 V y operación estable a largo plazo
Carburo de silicio “AN-10A Conducción de transistores de unión SiC” AN-10A Conducción de transistores de unión SiC
Características estáticas y de conmutación de 1200 Transistores de unión V SiC con rectificadores Schottky integrados en chip
200 AN-10A Conducción de transistores de unión SiC 250 AN-10A Conducción de transistores de unión SiC
Transistores de unión de carburo de silicio y rectificadores Schottky optimizados para un funcionamiento a 250 °C
Multi-kHz, Tiristores de carburo de silicio de voltaje ultra alto muestreados para investigadores de EE. UU.